IS43TR16640ED-15HBLI

1Gb DDR3 SDRAM 带 ECC，高速数据传输，支持多种功能

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品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS43TR16640ED-15HBLI
商品编号: C17377301
商品封装: TWBGA-96(9x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；片上纠错码；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

本文详细介绍了128MX8、64MX16 1Gb DDR3 SDRAM带ECC功能的相关信息，包括其特性、ECC功能、选项、速度等级、引脚排列描述、功能描述及上电初始化流程等内容。上电初始化需按特定顺序进行，包括施加电源、等待RESET#释放、启动并稳定时钟等步骤，同时对各引脚电压和信号状态有相应要求。

商品特性

标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
高速数据传输速率，系统频率高达800 MHz
8个内部存储体，可并发操作
8n位预取架构
可编程CAS延迟
可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
可编程突发长度：4和8
可编程突发序列：顺序或交错
突发长度动态切换
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
单比特错误纠正（每64位）
对突发长度和数据掩码有限制
配置：128Mx8、64Mx16
封装：x16为96球FBGA（9mm x 13mm），x8为78球FBGA（8mm x 10.5mm）
刷新间隔：7.8 μs（8192周期/64 ms），温度范围 -40°C至85°C；3.9 μs（8192周期/32 ms），温度范围85°C至105°C；1.95 μs（8192周期/16 ms），温度范围105°C至125°C
部分阵列自刷新
异步复位引脚
支持TDQS（终结数据选通，仅x8）
OCD（片外驱动器阻抗调整）
动态ODT（片内终结）
驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240 Ω）
写均衡
工作温度：汽车级，A1（TC = -40°C至 +95°C）；汽车级，A2（TC = -40°C至 +105°C）；汽车级，A3（TC = -40°C至 +125°C）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3 SDRAM
	时钟频率(fc)	666.5MHz
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.425V~1.575V