IS43TR81280CL-107MBLI

该文档介绍了128MX8、64MX16 1Gb DDR3 SDRAM的相关信息，包括特性、配置、引脚说明、功能描述以及上电初始化流程等。上电初始化时，需按特定顺序操作，如先施加电源，保持RESET#在低电平，控制电压斜坡时间和各引脚电压范围等，之后等待CKE激活，启动并稳定时钟，在CKE激活前注册NOP或Deselect命令等。

• 标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V， -0.067V，向后兼容1.5V
• 高速数据传输速率，系统频率高达1066 MHz
• 8个内部存储体用于并发操作
• 8n位预取架构
• 可编程CAS延迟
• 可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
• 基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
• 可编程突发长度：4和8
• 可编程突发序列：顺序或交错
• 即时BL切换
• 自动自刷新（ASR）
• 自刷新温度（SRT）
• 刷新间隔：7.8 μs（8192周期/64 ms），Tc = -40°C至85°C；3.9 μs（8192周期/32 ms），Tc = 85°C至105°C；1.95 μs（8192周期/16 ms），Tc = 105°C至115°C；0.97 μs（8192周期/8 ms），Tc = 115°C至125°C
• 配置：128Mx8、64Mx16
• 封装：x16为96球BGA（9mm x 13mm），x8为78球BGA（8mm x 10.5mm）
• 部分阵列自刷新
• 异步复位引脚
• 支持TDQS（终端数据选通）（仅x8）
• OCD（片外驱动器阻抗调整）
• 动态ODT（片内终端）
• 驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240 Ω）
• 写电平调整
• DLL关闭模式下高达200 MHz
• 工作温度：商业级（Tc = 0°C至 +95°C）；工业级（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级，A1（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级，A2（Tc = -40°C至 +105°C）；汽车级，A25（Tc = -40°C至 +115°C）；汽车级，A3（Tc = -40°C至 +125°C）