IS46TR16K01S2AL-125KBLA1
1Gx16,16Gb DDR3 SDRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS46TR16K01S2AL-125KBLA1
- 商品编号
- C17377325
- 商品封装
- LWBGA-96(10x14)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该文档介绍了1Gx16、16Gb DDR3 SDRAM的相关信息，包括其特性、配置、地址表、功能描述及电源上电和初始化的步骤等内容。电源上电和初始化时，需按特定顺序操作，如先施加电源并保持RESET#在0.2×VDD以下至少200us，CKE在RESET#释放前拉低，电源电压在300mV至VDD(min)的斜坡时间不超过200ms等。RESET#释放后等待500us使CKE激活，时钟在CKE激活前需稳定至少10ns或5tCK等。
商品特性
- 标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V， -0.067V
- 向后兼容1.5V
- 高速数据传输速率，系统频率高达800MHz
- 8个内部存储体，可并发操作
- 8n位预取架构
- 可编程CAS延迟
- 可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
- 基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
- 可编程突发长度：4和8
- 可编程突发序列：顺序或交错
- 动态突发长度切换
- 自动自刷新（ASR）
- 自刷新温度（SRT）
- 刷新间隔：7.8us（8192周期/64ms），Tc = -40°C至85°C；3.9us（8192周期/32ms），Tc = 85°C至105°C
- 部分阵列自刷新
- 异步复位引脚
- OCD（片外驱动器阻抗调整）
- 动态ODT（片上终端）
- 驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240Ω）
- 写 leveling
- DLL关闭模式下高达200MHz
- 工作温度：商业级（Tc = 0°C至 +95°C）；工业级（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级A1（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级A2（Tc = -40°C至 +105°C）