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DMTH8030LPDWQ-13
2个N沟道 耐压:80V 电流:28.5A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH8030LPDWQ-13
- 商品编号
- C17357677
- 商品封装
- DFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
适用于基站应用的320 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2500 MHz至2700 MHz。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 输入电容低
- 开关速度快
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 侧壁焊盘额外镀锡,便于光学焊料检测
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
应用领域
-DC-DC转换器-电机