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DMN61D9UDWQ-7
2个N沟道 耐压:60V 电流:318mA
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN61D9UDWQ-7
- 商品编号
- C17360325
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 318mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 440mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
N沟道2.5V（栅-源）电池开关；与LITTLE FOOT SOIC封装器件相比，LITTLE FOOT TSSOP-8功率MOSFET的占位面积更小、外形更低，同时保持低导通电阻（rDS(on)）和高散热性能。LITTLE FOOT TSSOP-8功率MOSFET所需的PCB板面积约为同等LITTLE FOOT器件的一半。除了减小板面积外，封装高度也降至1.1mm。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电机控制-电源管理功能