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DMC2990UDJQ-7B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:310mA 电流:450mA
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2990UDJQ-7B
- 商品编号
- C17360418
- 商品封装
- SOT-963
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 450mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.2pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小表面贴装封装,尺寸为1mm x 1mm
- 低封装高度,最大封装高度0.45mm
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关