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DMC2990UDJQ-7B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:310mA 电流:450mA
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2990UDJQ-7B
- 商品编号
- C17360418
- 商品封装
- SOT-963
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 450mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.2pF |
商品概述
DMZ0615E / DMX0615E / DMZ0622E / DMX0622E / DMX1015E——新型耗尽型MOSFET系列采用专有专利的超高阈值电压技术设计。DMZ0615E是一款宽范围电压（最高达70V）稳压器。其输入电压最高可达70V，还能根据不同工作条件提供约8V至23V的稳定输出电压。它非常适合具有可变充电电压输出（5V - 20V）的快速充电（QC4.0）/Type C PD充电器应用。 利用亚阈值特性，耗尽型MOSFET DMZ0615E可为负载提供稳定的功率，并且无需齐纳二极管即可钳位负载电压以保护负载。 DMZ0615E可承受高达70V的宽电压输入，并能为负载提供合适的电压。这些特性适用于快速充电（QC4.0）/Type C PD充电器应用，其PWM控制IC需要稳定的电压供电。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小表面贴装封装,尺寸为1mm x 1mm
- 低封装高度,最大封装高度0.45mm
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关