- 引脚图
- 焊盘图
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APTGT50DH60T1G
APTGT50DH60T1G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTGT50DH60T1G
- 商品编号
- C17356548
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.9V@15V,50A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500nC@300V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.15nF | |
| 输出电容(Coes) | 200pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 95pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 110ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 200ns | |
| 导通损耗(Eon) | 300uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.35mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 100ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT3技术
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20kHz
- 软恢复并联二极管
- 低二极管正向电压
- 低漏电流
- 反向偏置安全工作区（RBSOA）和短路安全工作区（SCSOA）额定
- 极低杂散电感 - 对称设计
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 高度集成
应用领域
焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电机控制
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