- 引脚图
- 焊盘图
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APT13GP120BG
APT13GP120BG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT13GP120BG
- 商品编号
- C17361335
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 41A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 50A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,13A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.145nF | |
| 输出电容(Coes) | 90pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 15pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 9ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 28ns | |
| 导通损耗(Eon) | 115uJ；225uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 165uJ；840uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 600V、10A时100kHz运行
- 低栅极电荷
- 600V、16A时50kHz运行
- 超快尾电流关断
- 反向偏置安全工作区（RBSOA）额定
- 3490-3
- PTL30-10G0-202B2
- SIT8208AC-3F-18E-19.200000X
- 4445R-11M
- GCM3195C1H362JA16J
- 1805-0-15-80-43-27-04-0
- SG-8018CG 7.3723M-TJHPA0
- ZZL-4116-36LD
- SIT8208AI-G1-28S-40.500000Y
- SIT1602BC-11-33S-8.192000
- GP55-42R2-FTW
- 1-2029142-8
- 370-90-145-00-001000
- GW CSSRM3.CM-MFN4-XX52-1-700-R33
- CTH7VF-221K
- SIT1602BI-81-18E-35.840000
- 9824DC
- RCS0603J1R3CS
- VPP20-1000-B
- PR1-201-JBW
- 10148136-012LF