- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APTGLQ40DDA120CT3G
APTGLQ40DDA120CT3G
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTGLQ40DDA120CT3G
- 商品编号
- C17357371
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.3nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 150pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 135pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 290ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.9mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
双升压斩波器高速沟槽 + 场截止 IGBT4 功率模块，VCES = 1200V，IC = 40A（Tc = 80°C）
商品特性
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 斩波器 SiC 肖特基二极管（CR1、CR2）
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性与温度无关
- VF 具有正温度系数
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻用于温度监测
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关电源
- 功率因数校正
- DPD-09-11-B3
- 102156-5
- SIT1602BC-21-XXE-27.000000
- AW2P-A
- MPX10D117
- XTEARY-00-0000-000000S02
- SG-8101CE 159.272728M-TCHSA0
- SIT8924AE-23-33E-24.000000
- S733025T-32.000-X-R
- FCK206BP
- 0678-0-15-01-32-27-10-0
- GCM0335C1H560GA16D
- 5120.5074.0
- SIT1602BC-12-33N-20.000000
- CSRS3682B03-IBBK-R
- SG-8018CG 15.0500M-TJHPA0
- SIT8208AI-2F-25E-38.000000Y
- SG-8018CB 13.528750M-TJHPA0
- SIT9120AC-1B1-33E148.500000
- SG-8018CB 23.9760M-TJHSA0
- DLP5530PROJTGQ1EVM