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SIZ270DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:100V 电流:19.5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFETs。 100% Rg和UIS测试。 集成MOSFET半桥功率级。 优化的Qgs / Qgd比改善开关特性。 材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：POL同步降压转换器。 电信DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ270DT-T1-GE3
- 商品编号
- C17341509
- 商品封装
- PowerPAIR3x3S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 集成MOSFET半桥功率级
- 优化的Qgs/Qgd比可改善开关特性
应用领域
- 负载点电源
- 同步降压转换器
- 电信DC/DC转换器
- 谐振转换器
- 电机驱动控制
- TEM-120-02-07.0-H-D-WT
- 628-M37-621-WN2
- SIT8208AI-2F-18S-66.660000Y
- XRCAMB-L1-R250-00M03
- 0367570106
- T2M-106-01-L-D-SM-WT-K-TR
- 628-25W3222-2N2
- XHGAWT-00-0000-00000PVF8
- T0920013670-000
- GCM31A5C2J182GX01D
- SG-8018CB 1.0204M-TJHPA0
- CBC11W1S1S50V30/AA
- SG-8018CB 120.2370M-TJHSA0
- XHP70B-00-0000-0D00N40E4
- 09195206324740
- 4302-682J
- RCS0603J110CS
- SPMWH3326MP3WARYS0
- MIL1812R-681K
- 13-000151
- VS-3EJH02HM3/6B