SQJQ906EL-T1_GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:160A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ906EL-T1_GE3
- 商品编号
- C17346162
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.238nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
一款35 W LDMOS射频功率晶体管，适用于广播发射机和工业应用。该晶体管适用于从高频（HF）到1400 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC - Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 完全无铅(Pb)器件
应用领域
- 高频到1400 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频到1400 MHz频率范围内的工业应用
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