SI6954ADQ-T1-BE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:3.1A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6954ADQ-T1-BE3
- 商品编号
- C17350602
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
适用于电子应用的300 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为1030 MHz至1090 MHz。 在Tcase = 25°C的AB类生产测试电路中的典型射频性能。
商品特性
- 无卤
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET:额定电压2.5V
应用领域
- 新型小尺寸磁盘驱动器
- 计算机
- 移动电话
- PCMCIA卡
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