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SQJB48EP-T1_GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJB48EP-T1_GE3
- 商品编号
- C17344236
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
基于先进耐用技术（ART），这款700 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗（ISM）、广播及非蜂窝通信等广泛应用领域而设计。该非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至450 MHz。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
- 无卤
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像（MRI）系统
- 二氧化碳（CO2）激光器
- 粒子加速器
- 广播
- 调频（FM）广播
- 甚高频（VHF）电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频（UHF）雷达
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