- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT45GP120J
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 170A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V；3.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,45A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.94nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 300pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 55pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 151ns；102ns | |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ；1.869mJ；3.078mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.254mJ；904uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 800V、16A时可实现50kHz运行
- 低栅极电荷
- 800V、30A时可实现20kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具备RBSOA额定值
- 103-122JS
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- SG-8018CE 9.5290M-TJHSA0
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- 110227-HMC584LP5
- S-1701B3430-M5T1G
- SIT8208AI-GF-18E-25.000000X
- PAD50DFN 8L ROHS