- 引脚图
- 焊盘图
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APT25GP120BG
APT25GP120BG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT25GP120BG
- 商品编号
- C17315637
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 69A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,25A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 70ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
新一代高压功率IGBT。采用穿通技术和专有金属栅极，该IGBT针对非常快速的开关进行了优化，使其非常适合高频、高压开关电源和对尾电流敏感的应用。在许多情况下，POWER MOS 7 IGBT为功率MOSFET提供了一种低成本的替代方案。
商品特性
- 低传导损耗
- 800V、11A时可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 800V、19A时可实现50kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具备RBSOA额定值
- 516-038-541-300
- SG-8018CG 19.9840M-TJHPA0
- 2N4858U
- MDF7-8S-2.54DSA(96)
- SIT8208AI-82-33S-3.570000
- BG2C-5015
- TANE-60QC
- ECX-P27BN-16.000
- 1N3744
- 1731121008
- 0026482096
- 25QHM572C0.125-24.576
- 670-001H01-12-4
- TST-113-04-T-S-RA
- JANTX1N4148UBCA
- ZSS-108-04-L-D-810
- 5501104802F
- SIT8208AC-31-25S-16.000000
- DDMME50SP
- SIT8208AC-33-33E-74.176000
- SIT1602BC-83-33E-31.250000