- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.15nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 200pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 95pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 110ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 200ns | |
| 导通损耗(Eon) | 300uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.35mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
顶部开关为Trench + Field Stop IGBT，底部开关为CoolMOS。引脚3/4必须短接在一起。Trench & Field Stop IGBT Q1、Q3的V CES = 600V，I C = 50A（Tc = 80°C）；CoolMOS Q2、Q4的V DSS = 600V，I D = 36A（Tc = 25°C）。
商品特性
- 超低RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 非常坚固
- 快速本征二极管
- 低压降
- 开关频率高达20kHz
- RBSOA和SCSOA额定
- 低尾电流
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度无关的开关特性
- VF正温度系数
- 极低杂散电感
- 用于温度监测的内部热敏电阻
- 高度集成
应用领域
太阳能转换器