SQJ208EP-T1_GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:60A 电流:20A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ208EP-T1_GE3
- 商品编号
- C17311699
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.73mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.25nF |
商品概述
一款适用于高频至 500 MHz 频段广播应用和工业应用的 1200 W LDMOS 功率晶体管。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 针对同步降压应用进行优化
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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