温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 新型低热阻PowerPAK封装,导通电阻低
- 双MOSFET设计,节省空间
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 高效初级侧开关
- 半桥和正激转换器
相似推荐
其他推荐