SQJ504EP-T1_BE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ504EP-T1_BE3
- 商品编号
- C17316799
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
- 沟槽式场效应管功率MOSFET
- 通过AEC - Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 电机控制
- 开关模式电源
- 不间断电源
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