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TSM076NH04DCR RLG

2个N沟道耐压:40V 电流:14A 电流:34A

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM076NH04DCR RLG
商品编号: C17295555
商品封装: PDFNU-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

这款新一代互补对增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。

商品特性

热效率高的封装，适用于低温运行应用
高转换效率
低导通电阻 RDS(ON)，可最大程度降低导通状态损耗
低输入电容
快速开关速度
Q2 P 沟道的栅极具备静电放电保护功能
完全无铅且完全符合 RoHS 标准
无卤素和锑，属于“绿色”器件
该产品符合 JEDEC 标准（参考 AEC - Q101），具备高可靠性

应用领域

笔记本电脑电池电源管理-DC-DC 转换器-负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	64A
	导通电阻(RDS(on))	9.1mΩ@7V,17A
	耗散功率(Pd)	55.6W
	阈值电压(Vgs(th))	3.6V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	19nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.217nF
	反向传输电容(Crss)	17pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	-
	输出电容(Coss)	235pF