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TSM076NH04DCR RLG实物图
  • TSM076NH04DCR RLG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM076NH04DCR RLG

2个N沟道 耐压:40V 电流:14A 电流:34A

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商品型号
TSM076NH04DCR RLG
商品编号
C17295555
商品封装
PDFNU-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)64A
导通电阻(RDS(on))9.1mΩ@7V
耗散功率(Pd)55.6W
阈值电压(Vgs(th))3.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)1.217nF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+175℃
类型-
输出电容(Coss)235pF

商品概述

这款新一代互补对增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。

商品特性

  • 超低导通电阻
  • 可焊侧翼引脚,增强自动光学检测(AOI)效果
  • 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
  • 工作结温可达175°C
  • 符合RoHS标准
  • 符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 螺线管和电机驱动器
  • 负载开关

数据手册PDF