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TSM300NB06DCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor(台湾半导体) TSM300NB06DCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SKU: C17298393
Price: 1.0612 CNY
Availability: OutOfStock

2个N沟道耐压:60V 电流:25A 电流:6A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM300NB06DCR RLG
商品编号: C17298393
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
符合RoHS标准
符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求

应用领域

无刷直流(BLDC)电机控制
电池电源管理
直流-直流(DC-DC)转换器
次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	25A
	导通电阻(RDS(on))	42.3mΩ@7V
	耗散功率(Pd)	40W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	17nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.079nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	68pF