- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
175 DFN 8L ROHS
175 DFN 8L ROHS
- 商品型号
- 175 DFN 8L ROHS
- 商品编号
- C17287601
- 商品封装
- DFN-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 4.5V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品特性
- 低噪声、低漂移的单片双N沟道JFET放大器
- 额定值为限制值，超过该值可能会损害任何半导体的可用性
- 温度高于25°C时，以4mW/°C的速率降额
- CBC24W7S10ANES/AA
- SG-8018CG 62.1600M-TJHPA0
- 5-794680-0
- LRU2664
- TFML-140-01-L-D
- S-8426AAA-J8T1U
- AWVS005050203R3T00
- 5022R-114F
- QSCF500Q3R3D1GV001T
- SG-8018CA 14.747720M-TJHPA0
- XD16AWT-H0-0000-00000UGDV
- XD16AWT-H0-0000-00000HHDT
- T1590N26TOFVT
- SI82394CB4-IS1R
- 82635D435FDK
- FWLF1631R46-C
- MHBBWT-0000-000N0HD435H
- RD50M10HTC
- SSM6N43FU,LF
- 500SJBC64M0000ACHR
- SG-8018CE 60.8000M-TJHPA0