LSK489B TO-71 6L ROHS
LSK489B TO-71 6L ROHS
- 描述
- 低噪声、低输入电容、单片双N沟道JFET放大器。具有低输入电容,可显著减少互调失真,适用于精密仪器和传感器应用。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LSK489B TO-71 6L ROHS
- 商品编号
- C17292261
- 商品封装
- TO-71-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1.5V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 2.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
LSK489是业界输入电容最低且低噪声的单片双N沟道JFET。低输入电容可大幅降低互调失真。此外,这些双JFET在温度范围内具有严格的失调电压和低漂移特性,适用于广泛的精密仪器和传感器应用。LSK489有表面贴装塑料SOIC 8L和SOT - 23 6L封装,以及通孔金属TO - 71 6L封装。如需等效的单N沟道版本,请参考LSK189数据手册。LSK489的TO - 71 6L和SOIC 8L与相同的LSK389产品在尺寸、外形和引脚方面兼容。LSK489显著提升了广泛低噪声应用的性能。LSK489最显著的特点是,它在具有与LSK389几乎相同低噪声水平的同时,栅极到漏极电容却低得多,4pF对比25pF。在大多数情况下,LSK489比LSK389略高的噪声并不显著,而低得多的电容使设计人员能够使用更少的器件,设计出更简单、更精致的电路,降低生产成本。此外,请注意LSK489和LSK389的TO - 71和SOIC封装相同且引脚兼容,因此它们可以互换使用。与Linear Systems的LSK389一样,LSK489采用独特的设计结构,将两个JFET交错放置在同一块硅片上,以提供出色的匹配和热跟踪性能,以及几乎零爆米花噪声的低噪声特性。IDSS范围分为两段,为设计人员提供更好的分辨率,即A级〈ΔlDSS = 6mA〉和B级(ΔlDSS = 7mA)。如需改善En、IDSS、VGS(off)、ΔVGS或任何其他参数限制,请联系Linear Systems。根据新的限制,LS将分配一个新的SELXXXX代码用于发货。
商品特性
- 低噪声:en = 1.8nV/√Hz(典型值),f = 1kHz,NBW = 1Hz
- 极低的共源输入电容,Ciss = 4pF(典型值)
- 高转换速率
- 低失调/漂移电压
- 低栅极泄漏电流IGSS和IG
- 高共模抑制比102dB
应用领域
宽带差分放大器、高速温度补偿单端输入放大器、高速比较器、阻抗转换器、声呐浮标和水听器、声学传感器
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