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LSK489B TO-71 6L ROHS实物图
  • LSK489B TO-71 6L ROHS商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LSK489B TO-71 6L ROHS

LSK489B TO-71 6L ROHS

描述
低噪声、低输入电容、单片双N沟道JFET放大器。具有低输入电容,可显著减少互调失真,适用于精密仪器和传感器应用。
品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
LSK489B TO-71 6L ROHS
商品编号
C17292261
商品封装
TO-71-6​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录结型场效应管(JFET)
数量2个N沟道
栅源截止电压(VGS(off))1.5V
栅源击穿电压(Vgss)60V
耗散功率(Pd)300mW
导通电阻(RDS(on))-
漏源电流(Idss)2.5mA
属性参数值
输入电容(Ciss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)-
反向传输电容(Crss)2pF
FET类型N沟道

商品概述

LSK489是业界输入电容最低且低噪声的单片双N沟道JFET。低输入电容可大幅降低互调失真。此外,这些双JFET在温度范围内具有严格的失调电压和低漂移特性,适用于广泛的精密仪器和传感器应用。LSK489有表面贴装塑料SOIC 8L和SOT - 23 6L封装,以及通孔金属TO - 71 6L封装。如需等效的单N沟道版本,请参考LSK189数据手册。LSK489的TO - 71 6L和SOIC 8L与相同的LSK389产品在尺寸、外形和引脚方面兼容。LSK489显著提升了广泛低噪声应用的性能。LSK489最显著的特点是,它在具有与LSK389几乎相同低噪声水平的同时,栅极到漏极电容却低得多,4pF对比25pF。在大多数情况下,LSK489比LSK389略高的噪声并不显著,而低得多的电容使设计人员能够使用更少的器件,设计出更简单、更精致的电路,降低生产成本。此外,请注意LSK489和LSK389的TO - 71和SOIC封装相同且引脚兼容,因此它们可以互换使用。与Linear Systems的LSK389一样,LSK489采用独特的设计结构,将两个JFET交错放置在同一块硅片上,以提供出色的匹配和热跟踪性能,以及几乎零爆米花噪声的低噪声特性。IDSS范围分为两段,为设计人员提供更好的分辨率,即A级〈ΔlDSS = 6mA〉和B级(ΔlDSS = 7mA)。如需改善En、IDSS、VGS(off)、ΔVGS或任何其他参数限制,请联系Linear Systems。根据新的限制,LS将分配一个新的SELXXXX代码用于发货。

商品特性

  • 低噪声:en = 1.8nV/√Hz(典型值),f = 1kHz,NBW = 1Hz
  • 极低的共源输入电容,Ciss = 4pF(典型值)
  • 高转换速率
  • 低失调/漂移电压
  • 低栅极泄漏电流IGSS和IG
  • 高共模抑制比102dB

应用领域

宽带差分放大器、高速温度补偿单端输入放大器、高速比较器、阻抗转换器、声呐浮标和水听器、声学传感器

数据手册PDF