商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 500mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 500uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- AFBR-709SMZ-C
- STEVAL-MKI072V1
- NTHS0805N02N5001KF
- 660-005N14S5-03
- SIT1602AI-13-33E-33.000000
- 25QHM572C0.25-74.990
- E35RF-I-RS730-R1
- 540AAA155M520BAGR
- 957212-2000-AR-PR
- TFM-105-01-F-S
- PU2BLSH
- 0284-0-15-01-16-14-10-0
- 1511180730
- GCM21BR72A103KA37K
- SG-8018CE 55.631868M-TJHPA0
- 622-009-668-516
- FK4800024Q
- 0139-0-15-01-30-02-04-0
- 620DS054NF18
- 570FBB000741DG
- 5500305004F