- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT15GP60BDQ1G
APT15GP60BDQ1G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT15GP60BDQ1G
- 商品编号
- C17268423
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 56A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 65A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.685nF | |
| 输出电容(Coes) | 210pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 15pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 8ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 29ns | |
| 导通损耗(Eon) | 130uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 120uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 19ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT 是新一代高压功率 IGBT。该 IGBT 使用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 在 400V、19A 条件下可实现 100kHz 运行
- 低栅极电荷
- 在 400V、12A 条件下可实现 200kHz 运行
- 超快速尾电流关断
- 单脉冲安全工作区（SSOA）额定
- FFA.2S.137.LCN
- GP55-2373-FTW
- S-1701Q5015-U5T1G
- GCM21BR71C564KA37L
- Q6010R4TP
- 532AC000542DG
- BLU0805-2210-BT25W
- DE24657-16
- 4280-0-15-01-16-01-10-0
- XTEAWT-00-0000-000000JC1
- L128-2280NA3500001
- 1719710206
- 2107-2-01-01-00-00-07-0
- TEM-125-02-DH1-S-D-A
- SIT8918BE-21-XXE-33.000000
- QSFP-4X10G-SR-C
- ISM97-3351AH-50.000MHZ
- 0014562081
- 61202625821
- AC-20.000MCE-T
- XPGDWT-U1-0000-00CE8