- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT45GP120B2DQ2G
POWERMOS7 IGBT，低导通损耗、低栅极电荷、超快尾电流关断
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT45GP120B2DQ2G
- 商品编号
- C17272638
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 113A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 170A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 750uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,45A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.995nF | |
| 输出电容(Coes) | 300pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 55pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 100ns | |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.255mJ；905uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 26ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。采用穿通技术，该IGBT非常适合许多高频、高压开关应用，并针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 800V、16A条件下可实现100 kHz运行
- 低栅极电荷
- 800V、28A条件下可实现50 kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具有反向偏置安全工作区（RBSOA）额定值
- 620HS028M15L
- SIT8208AC-8F-18S-33.600000T
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