- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 385W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 110A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.85V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.25V@15V,75A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 570nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.4nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 290pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 240pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 130ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 300ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 385ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
所有多个输入和输出必须短接在一起。示例：13/14；29/30；22/23… VCES = 1200V，IC = 90A（在Tc = 80°C时）
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT 4
- 低电压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA额定
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻，用于温度监测
应用领域
交流和直流电机控制、开关模式电源、功率因数校正
- SIT8208AI-GF-28E-48.000000X
- SIT8208AI-G2-25E-24.576000Y
- 14849
- SG-8018CG 28.636360M-TJHPA0
- M80-5412022
- SIT1602BC-11-28N-25.000625
- S518025T-32.000-X-R
- VUO122-08NO7
- GLK24064-25-FGW
- 570NCA001780DG
- SIT1602BC-13-33N-75.000000
- TPC13AHM3_A/I
- ATM8S-BT-YW
- QTM216E-37.400MBE-T
- 1-2008571-5
- TAS5518PAGR
- MS3186A124W
- SIT9005AI-13-18DP24.000000
- SIT8208AI-2F-28S-54.000000Y
- SIT8208AC-23-18S-16.369000
- FTLX3815M347