商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 385W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 110A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.25V@15V,75A | |
| 输入电容(Cies) | 4.4nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
所有多个输入和输出必须短接在一起。示例：13/14；29/30；22/23… VCES = 1200V，IC = 90A（在Tc = 80°C时）
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT 4
- 低电压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA额定
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻，用于温度监测
应用领域
交流和直流电机控制、开关模式电源、功率因数校正