商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大限度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻:3.5 Ω
- 无二次击穿:260 V
- 低功率/低电压驱动
- 低输入和输出漏电流
- 出色的热稳定性
- 低失调电压
- 全电压工作
- 无需缓冲器即可轻松驱动
- 低误差电压
- 无高温“失控”现象
应用领域
- 高压驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、晶体管等
- 电话静音开关、振铃电路
- 电源、转换器
- 电机控制
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