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SIHA21N80AE-GE3实物图
  • SIHA21N80AE-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHA21N80AE-GE3

1个N沟道 耐压:800V 电流:7.5A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHA21N80AE-GE3
商品编号
C17265557
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)7.5A
导通电阻(RDS(on))235mΩ@10V
耗散功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
输入电容(Ciss)1.388nF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)53pF

商品概述

这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on) ,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
  • 低有效电容 (Co(er))
  • 降低开关和传导损耗
  • 雪崩能量额定值 (UIS)

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF