SI7636DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7636DP-T1-GE3
- 商品编号
- C17265339
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 415pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 860pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 采用高密度 TrenchFET 第二代功率 MOSFET 技术,实现超低导通电阻
- Qg 优化
- 新型低热阻 PowerPAK 封装,高度仅 1.07 mm
- 100% 进行 Rg 测试
应用领域
- 低端 DC/DC 转换
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
- 同步整流器、负载点电源