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DMN11M2UCA14-7实物图
  • DMN11M2UCA14-7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN11M2UCA14-7

2个N沟道 耐压:12V 电流:34A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN11M2UCA14-7
商品编号
C17251890
商品封装
X2-TSN3027-14​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)34A
导通电阻(RDS(on))1.34mΩ@3.8V
耗散功率(Pd)3.3W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)71nC@4V
输入电容(Ciss)6.083nF
反向传输电容(Crss)304pF
工作温度-55℃~+150℃
配置共源
类型N沟道
输出电容(Coss)1.421nF

商品概述

AON2803采用先进的沟槽技术,可提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 封装尺寸为3.00 mm × 2.74 mm的CSP封装
  • 典型高度为0.275mm,实现薄型设计
  • 栅极静电放电保护
  • 完全无铅,完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

数据手册PDF