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DMT4014LDV-13
2个N沟道 耐压:40V 电流:8.5A 电流:26.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT4014LDV-13
- 商品编号
- C17255281
- 商品封装
- VDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 — 确保最终应用更可靠、更稳健
- 低RDS(ON)— 确保导通损耗最小化
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-无线充电-DC-DC转换器-电源管理