温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC2041UFDB-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.7A 电流:3.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2041UFDB-13
- 商品编号
- C17256520
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 137mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 881pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 薄型设计,最大高度0.6mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 负载开关
- 电源管理功能
- 便携式电源适配器