温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJQ4848P_R2_00001
2个N沟道 耐压:40V 电流:37A 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ4848P_R2_00001
- 商品编号
- C17219432
- 商品封装
- DFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
MwT-PH29F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为800微米，非常适合在高达18 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。该器件在宽带（如6至18 GHz）或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并经过钝化处理，以确保出色的可靠性。
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为8 A时,RDS(ON) < 15 mΩ
- 当VGS为4.5 V、ID为6 A时,RDS(ON) < 20 mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物