PJT7838_R1_00001
2个N沟道 耐压:50V 电流:400mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJT7838_R1_00001
- 商品编号
- C17223038
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 950pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
ARF461A和ARF461B是一对对称的共漏极射频功率晶体管，专为高达65 MHz的推挽式科学、商业、医疗和工业射频功率放大器应用而设计。它们针对线性和高效工作模式进行了优化。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为10V、漏极电流(ID)为500mA时,导通电阻RDS(ON) < 1.45Ω
- 栅源电压(VGS)为4.5V、漏极电流(ID)为200mA时,导通电阻RDS(ON) < 1.95Ω
- 栅源电压(VGS)为2.5V、漏极电流(ID)为100mA时,导通电阻RDS(ON) < 4.0Ω
- 栅源电压(VGS)为1.8V、漏极电流(ID)为10mA时,导通电阻RDS(ON) < 6.0Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 静电放电(ESD)保护达2KV人体模型(HBM)
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 高达65 MHz的科学、商业、医疗和工业射频功率放大器应用