PJQ5844-AU_R2_000A1
2个N沟道 耐压:40V 电流:10A 电流:45A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ5844-AU_R2_000A1
- 商品编号
- C17223454
- 商品封装
- DFN5060B-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.759nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 176pF |
商品概述
ZXMS6005SGQ是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntellifET™ MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。对于在恶劣环境中由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关应用，ZXMS6005SGQ是理想之选，因为在这些环境中标准MOSFET的耐用性不足。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 10 V、漏极电流(ID)为 15 A 时,导通电阻 RDS(ON) < 8 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 4.5 V、漏极电流(ID)为 8 A 时,导通电阻 RDS(ON) < 10.5 mΩ
- 开关速度快
- 改善的 dv/dt 能力
- 低反向传输电容
- 通过 AEC-Q101 认证
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 符合 IEC 61249 标准的环保模塑料
应用领域
- 特别适用于具有高浪涌电流的负载，如灯具和电机
- 开关应用中的所有类型的电阻性、电感性和电容性负载
- 适用于12V直流应用的与μC兼容的电源开关
- 符合汽车级标准
- 可替代机电继电器和分立电路
- 线性模式能力 - 限流保护电路设计为在低VDS时停用，以最小化导通状态功耗。因此，最大直流工作电流由封装/电路板组合的散热能力决定，而非保护电路。这不会影响产品在低VDS时的自保护能力。
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