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场效应管(MOSFET)
APTM20DUM04G
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引脚图
此图展示了型号为 APTM20DUM04G 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 APTM20DUM04G 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
APTM20DUM04G
2个N沟道 耐压:200V 电流:372A
品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
商品型号
APTM20DUM04G
商品编号
C17215869
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
资料纠错
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
372A
导通电阻(RDS(on))
5mΩ@10V,186A
耗散功率(Pd)
1.25kW
阈值电压(Vgs(th))
5V@10mA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
560nC@10V
输入电容(Ciss)
28.9nF
反向传输电容(Crss)
580pF
工作温度
-40℃~+150℃
类型
-
输出电容(Coss)
9.32nF
数据手册PDF
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