AS4C64M32MD1A-5BINTR
DDR内存，1.8V电源，双向数据选通，四银行操作
- 描述
- AS4C64M32MD1A-5BINTR是一款64Mx32位低功耗DDR1 SDRAM，支持双数据速率架构，具有四组操作和差分时钟输入。适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），最大工作频率为200MHz。
- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- AS4C64M32MD1A-5BINTR
- 商品编号
- C17204586
- 商品封装
- FBGA-90(8x13)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | - | |
| 时钟频率(fc) | 200MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 200uA；270uA；400uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品概述
模式寄存器旨在支持移动DDR SDRAM的各种操作模式。它包括CAS潜伏期、寻址模式、突发长度、测试模式和特定供应商选项，以使移动DDR SDRAM适用于各种应用。模式寄存器通过将/CS、/RAS、/CAS和/WE置低来写入（在写入模式寄存器之前，移动DDR SDRAM应处于活动模式，且CKE已为高电平）。在/CS、/RAS、/CAS和/WE置低的同一周期内，地址引脚A0 ~ A13以及BA0、BA1的状态会被写入模式寄存器。完成模式寄存器的写入操作需要两个时钟周期。即使上电序列完成且之后执行了一些读写操作，模式寄存器的内容也可以使用相同的命令和两个时钟周期进行更改。此命令必须在所有存储体都处于空闲状态时发出。模式寄存器根据功能分为不同的字段。突发长度使用A0 ~ A2，寻址模式使用A3，CAS潜伏期（从列地址开始的读取潜伏期）使用A4 ~ A6，A7 ~ A13用于测试模式。为了使MRS正常运行，BA0和BA1必须置低。
扩展模式寄存器旨在支持DDR SDRAM的所需操作模式。扩展模式寄存器通过将/CS、/RAS、/CAS、/WE置低，BA1置高，BA0置低来写入（在写入扩展模式寄存器之前，移动DDR SDRAM应处于所有存储体预充电状态，且CKE已为高电平）。在/CS、/RAS、/CAS和/WE置低的同一周期内，地址引脚A0 ~ A13的状态会被写入扩展模式寄存器。完成扩展模式寄存器的写入操作需要两个时钟周期。即使上电序列完成且之后执行了一些读写操作，模式寄存器的内容也可以使用相同的命令和两个时钟周期进行更改。但此命令必须在所有存储体都处于空闲状态时发出。A0 - A2用于部分阵列自刷新，A5 - A7用于驱动强度控制。BA1为“高”且BA0为“低”用于EMRS。除A0、A1、A2、A5、A6、A7、BA1、BA0之外的所有其他地址引脚必须置低，以确保EMRS正常运行。具体代码请参考表格。
为了节省功耗，这款移动DRAM包含内部温度传感器和控制单元，可根据实际设备温度自动控制自刷新周期。表中显示的IDD6的TCSR范围仅为示例。如果控制器发出用于外部TCSR的EMRS，则此用于TCSR的EMRS代码将被忽略。
为了节省功耗，移动DDR SDRAM包含PASR选项。移动DDR SDRAM在自刷新模式下支持三种PASR；全阵列、1/2阵列、1/4阵列。
商品特性
- 电源VDD/VDDQ = 1.8V/1.8V
- 双数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输。
- 双向数据选通（DQS）。
- 四存储体操作。
- 差分时钟输入（CK和CK#）。
- 带地址键程序的MRS周期。
- CAS潜伏期（3）
- 突发长度（2、4、8、16）
- 突发类型（顺序和交错）
- 带地址键程序的EMRS周期。
- 部分阵列自刷新（全阵列、1/2、1/4阵列）
- 输出驱动强度控制（全、1/2、1/4、1/8、3/4、3/8、5/8、7/8）
- 内部温度补偿自刷新。
- 除数据和DM之外的所有输入在系统时钟（CK）的上升沿采样。
- 数据I/O事务在数据选通的两个边沿进行，DM用于屏蔽。
- 边缘对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。
- 无DLL；CK到DQS不同步。
- DM仅用于写屏蔽。
- 自动刷新占空比。 - 在 -40°C ~ 85°C时为7.8μs
- 时钟停止功能。
- 封装x32：8.0×13.0mm 90球FPBGA
- 工作温度范围工业类型（-40°C ~ +85°C）