- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS8402DWQ-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 耐压:50V 电流:115mA 电流:130mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS8402DWQ-13
- 商品编号
- C17192720
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款MOSFET的设计旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- BSS8402DWQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关
- BPSD001009546R8M00
- JRC-SC2-122
- 3QHM53C1.5-49.000
- IXGK75N250
- VS-1EQH02-M3/H
- SIT1602BC-21-25S-66.666600
- CDG4.4101.151
- P160-223KS
- SIT8208AC-2F-25E-38.400000X
- SG-8018CA 74.5200M-TJHPA0
- SEN-14520
- SIT8209AC-21-25E-166.666666
- 660-024M19S6-06
- PE30LDFG472MAB
- 138B00502
- 09662127603
- 172316-2110
- NTHS0805N02N6801KF
- SG-8018CB 28.9767M-TJHSA0
- 634-015-263-030
- RC0603F562CS