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DMN63D1LV-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:550mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN63D1LV-13
- 商品编号
- C17197674
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V,0.05A | |
| 耗散功率(Pd) | 940mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能-直流-直流转换器-模拟开关
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