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NCE3018AS
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- N沟道，30V,18A,7毫欧。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE3018AS
- 商品编号
- C163739
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.868克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
这些器件是基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh™ V功率MOSFET，该技术与意法半导体（STMicroelectronics）著名的PowerMESHTM横向布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适合需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 全球最佳的漏源导通电阻（RDS(on)）*面积
- 更高的漏源电压额定值（VDSS）和高dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用