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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR2130STRPBF

三相桥式驱动器

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描述
600V,三相桥驱动IC
商品型号
IR2130STRPBF
商品编号
C16675
商品封装
SOIC-28-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
1.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数6
灌电流(IOL)420mA
拉电流(IOH)200mA
工作电压10V~20V
属性参数值
上升时间(tr)80ns
下降时间(tf)35ns
传播延迟 tpLH675ns
传播延迟 tpHL425ns
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP)
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
静态电流(Iq)3mA

商品概述

IR2130/IR2132(J)(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容,可低至2.5V逻辑电平。一个接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。一个电流跳闸功能也从该电阻获取信号,用于终止所有六个输出。一个漏极开路FAULT信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在将驱动器的交叉导通降至最低。传播延迟经过匹配,便于在高频下使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达600V。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计,可在高达+600V的电压下完全正常工作,耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10至20V
  • 所有通道均具备欠压锁定功能
  • 过流关断功能可关闭所有六个驱动器
  • 独立的半桥驱动器
  • 所有通道的传播延迟匹配
  • 与2.5V逻辑兼容
  • 输出与输入反相
  • 具备交叉导通预防逻辑
  • 也提供无铅版本

数据手册PDF

优惠活动

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(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1000个/圆盘

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