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IR21094STRPBF

半桥驱动器

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描述: 600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR21094STRPBF
商品编号: C19559
商品封装: SOIC-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.188克(g)

商品参数

商品概述

IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，可低至 3.3V 逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压最高可达 600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计，可在高达 +600V 的电压下完全正常工作，能耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
栅极驱动电源范围为 10 至 20V
双通道均具备欠压锁定功能
与 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
具备交叉导通预防逻辑
双通道的传播延迟匹配
高端输出与 IN 输入同相
逻辑地和功率地的偏移范围为 +/-5V
内部死区时间为 540ns，通过一个外部 RDT 电阻（IR21094）可将其编程至最长 5μs
较低的 di/dt 栅极驱动器，具备更好的抗噪声能力
关断输入可关闭两个通道
提供无铅封装版本

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	350mA
	拉电流(IOH)	250mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	150ns
	下降时间(tf)	50ns
	传播延迟 tpLH	750ns
	传播延迟 tpHL	200ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	静态电流(Iq)	1mA