1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
- 20+: ¥0.151993 / 个
- 200+: ¥0.122362 / 个
- 600+: ¥0.1059 / 个
- 3000+: ¥0.085272 / 个 (折合1圆盘255.82元)
- 9000+: ¥0.076712 / 个 (折合1圆盘230.14元)
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¥0.1059 / 个 |
3000+: |
¥0.085272 / 个 (折合1圆盘255.82元) |
9000+: |
¥0.076712 / 个 (折合1圆盘230.14元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 250mA | |
功率(Pd) | 200mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,250mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@1mA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 15pF@25V |
技术参数:
封装类型:SOT-23
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
通道类型:N
通道模式:增强
最大连续漏极电流:250 mA
最大漏源电压:60 V
最大漏源电阻值:12 Ω
最大栅阈值电压:2.3 V
最小栅阈值电压:1V
最大栅源电压:-20 V,+20 V
最大功率耗散:350 mW
最低工作温度:-55 °C
最高工作温度:+150 °C
典型接通延迟时间:3.5 ns
典型关断延迟时间:18 ns
正向二极管电压:1.2 V
典型输入电容值:15pF @ 25V