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US6K4TR
2个N沟道 耐压:20V 电流:1.5A
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- 描述
- 双N沟道,20V,1.5A
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- US6K4TR
- 商品编号
- C162081
- 商品封装
- TUMT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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