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EM6K1T2R
2个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
- 描述
- 双N沟道,30V,100mA
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- EM6K1T2R
- 商品编号
- C161961
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 单个EMT封装内集成两个2SK3019晶体管。
- MOS FET元件相互独立,可消除相互干扰。
- 可将安装成本和面积减半。
- 导通电阻低。
- 低电压驱动(2.5V),适合用于便携式设备。
应用领域
- 接口、开关(30V,100mA)