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ULN2003BDR
高电压、高电流达灵顿晶体管阵列
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- 描述
- ULN2003B 高电压、高电流灵顿晶体管阵列，ULN2003B
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- ULN2003BDR
- 商品编号
- C157485
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.297克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 通道数 | 七路 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 最大输入电压(VI) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 输入电流(on) | 10mA | |
| 输入电流(off) | 500nA | |
| 正向压降(Vf) | 1.4V | |
| 输入电容(Ci) | 5pF |