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ULN2003BDR

高电压、高电流达灵顿晶体管阵列

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描述: ULN2003B 高电压、高电流灵顿晶体管阵列，ULN2003B
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: ULN2003BDR
商品编号: C157485
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.297克(g)

商品参数

商品概述

ULN2003B 是一款高电压、高电流达灵顿晶体管阵列。该器件包含 7 个高压输出型 NPN 达灵顿晶体管对，这些晶体管具有针对电感负载开关的共阴极钳位二极管。单个达灵顿对的集电极电流额定值为 500mA。将达灵顿对并联可以提供更高的电流。ULN2003B 的每个达灵顿对具有一个 2.7kΩ 基极串联电阻器，可直接用于晶体管逻辑 (TTL) 或互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件。

商品特性

输出泄漏电流超过 ULN2003A 的四倍
500mA 额定集电极电流（单路输出）
高压输出 50V
钳位二极管输出
可兼容各类逻辑的输入

应用领域

继电器驱动器
锤式驱动器
灯驱动器
显示屏驱动器（LED 和气体放电元件）
线路驱动器
逻辑缓冲器

	属性	参数值
	商品目录	达林顿晶体管阵列
	通道数	七路
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	500mA
	最大输入电压(VI)	30V
	工作温度	-40℃~+105℃
	集电极漏电流(Icex)	10uA

	属性	参数值
	集射极饱和电压(VCE(sat))	1.6V
	输入电流(on)	10mA
	输入电流(off)	500nA
	正向压降(Vf)	1.4V
	反向电流(Ir)	-
	输入电容(Ci)	5pF
	类型	BJT