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CEA6426
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.6A
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- 描述
- N沟道,60V,4.6A,90mΩ@10V
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEA6426
- 商品编号
- C154279
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.161克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且可使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 60V、4.6A,在VGS = 10V时,RDS(ON) = 90 m Ω
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 110 m Ω
- 采用高密单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 坚固可靠
- 产品无铅
- SOT - 89封装