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CED20P10
1个P沟道 耐压:100V 电流:16A
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- 描述
- P沟道,100V,16A,130mΩ@10V
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CED20P10
- 商品编号
- C154235
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- -100V、-16A，在VGS = -10V时，RDS(ON) = 130 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- TO-251和TO-252封装