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CED83A3G
1个N沟道 耐压:30V 电流:93A
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- 描述
- N沟道,30V,93A
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CED83A3G
- 商品编号
- C154193
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 93A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.855nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 6.2 mΩ
- 30V、93A，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 4.2 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- TO - 251和TO - 252封装